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简介
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氧化工艺 工艺流程（阳极） 干氧氧化 湿氧氧化 氧化速率 氧化工艺的应用 工艺流程 工艺流程 脱脂 将器件放入脱脂槽中，其主要目的是去除器件表面油污。 碱洗 去除表面的氧化层，将纯净的金属基体露出来。 酸洗 使用硝酸，在常温下进行处理，去除表面污垢。 化抛 使用磷酸，操作温度92℃，对器件表面进行化学抛光。 工艺流程 氧化 使用硫酸，操作温度在21℃，在器件表面形成一层氧化膜，起到保护装饰等作用。 染色 使用染料，在操作温度55℃，依据客户的不同需求，生产出光鲜亮丽的色泽的产品。 工艺流程 封孔 使用封孔剂，在95℃下完成，其作用有以下几点： 防止阳极氧化膜外观变坏 提高阳极氧化膜的耐磨性 最大限度的提高阳极氧化膜耐点蚀性能 使染色氧化膜的褪色降到最低程度 提高阳极氧化膜抗侵蚀能力 提高阳极氧化膜的电绝缘性能，尤其是潮湿环境的绝缘性 干燥 将器件表面的水分烘干 干氧氧化 干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气体，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。其化学反应式： Si+O2→SiO2 干氧氧化系统示意图 湿氧氧化 用𝐻_2 𝑂取代𝑂_2就是湿氧氧化反应，生成的氧化层称为蒸汽氧化层。其化学反应式可以表示如下： Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 煮沸式系统 在超过100℃的高温下将水蒸气，并经过加热的气体管道将水蒸气送入炉管中。 气泡式系统 先使氮气气泡经过超纯水，再将水蒸气带入炉管中。 氧化速率 温度 硅中杂质 圆片晶向(<100>或<111>) 湿氧或干氧 厚度 压力 氧化速率与温度 氧化速率对温度很敏感，指数规律 温度升高会引起更大的氧化速率升高 物理机理：温度越高，O与Si的化学反应速率越高；温度越高，O在SiO2中的扩散速率越高 氧化速率与杂质浓度 杂质元素和浓度 高掺磷的硅有更高的氧化层生长速率，更低密度的氧化层薄膜和更高的刻蚀速率 通常，掺杂浓度越高，氧化层生长速率越高；在氧化过程的线性区(氧化层较薄时)更为显著。 氧化速率与圆片晶向 <111>表面的氧化速率高于<100>表面 <111>表面的Si原子密度高 注：书本96页图 氧化层应用列表
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