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简介
这是一个关于开关电源常用元器件介绍PPT，包括了电阻，电容，二极管，晶体管，MOSFET和IGBT等内容，开关电源技术（二）开关电源技术（二）开关电源技术（二） 电阻贴片电阻贴片电阻碳膜电阻薄膜电阻绕线电阻绕线电阻压敏电阻温度为20度，压敏电阻上流过1mA直流电流时，加在该压敏电阻两端的相应电压叫做压敏电压。 220V一般选择600V 压敏电阻电阻电阻值（E24、E96）精度（误差）（±0.01%,0.05%, 0.1%, 0.25%, 0.5%,1%,5%）最大电压（封装）温度系数 （5PPM；10PPM；15PPM；25PPM；50PPM）额定功率（封装、降额） 开关电源技术（二）电容贴片电容 CBB电容电容的高频模型电容开关电源技术（二）二极管二极管二极管二极管开关电源技术（二）三极管开关电源技术（二）功率半导体的应用范围 MOSFET MOSFET MOSFET 工作原理： 由栅极(Gate)电压来改变导电沟道，从而控制漏极(Drain)、源极(Source)之间的电流和等效电阻，使场效应管处于截止或导通状态。 MOSFET 优点电流增益大，驱动功率小，驱动电路简单; 开关速度很快，工作频率很高; 正的电阻温度特性（负的电流温度特性），易并联均流。缺点通态电阻较大，通态损耗相应也大；单管容量难以提高，只适合小功率（10KW以下）。 MOSFET 静态参数正向通态电阻Ron 漏极电压UDS 漏极电流ID、最大漏极电流IDM 漏极击穿电压UBDS : <1500V 栅极开启电压UGSth 栅源击穿电压UBGS :一般为±20V。 MOSFET的主要寄生参数 MOSFET 动态参数极间电容输入电容：Ciss 输出电容：Coss 反馈电容：Crss MOSFET 开关电源技术（二） IGBT IGBT的封装形式 IGBT的封装形式 IGBT 最大集射极间电压UCES——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。最大集电极电流——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。最大集电极功耗PCM——正常工作温度下允许的最大功耗，欢迎点击下载开关电源常用元器件介绍PPT。
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开关电源技术（二）开关电源技术（二）开关电源技术（二） 电阻贴片电阻贴片电阻碳膜电阻薄膜电阻绕线电阻绕线电阻压敏电阻温度为20度，压敏电阻上流过1mA直流电流时，加在该压敏电阻两端的相应电压叫做压敏电压。 220V一般选择600V 压敏电阻电阻电阻值（E24、E96）精度（误差）（±0.01%，0.05%， 0.1%， 0.25%， 0.5%，1%，5%）最大电压（封装）温度系数 （5PPM；10PPM；15PPM；25PPM；50PPM）额定功率（封装、降额） 开关电源技术（二）电容贴片电容 CBB电容电容的高频模型电容开关电源技术（二）二极管二极管二极管二极管开关电源技术（二）三极管开关电源技术（二）功率半导体的应用范围 MOSFET MOSFET MOSFET 工作原理： 由栅极(Gate)电压来改变导电沟道，从而控制漏极(Drain)、源极(Source)之间的电流和等效电阻，使场效应管处于截止或导通状态。 MOSFET 优点电流增益大，驱动功率小，驱动电路简单; 开关速度很快，工作频率很高; 正的电阻温度特性（负的电流温度特性），易并联均流。缺点通态电阻较大，通态损耗相应也大；单管容量难以提高，只适合小功率（10KW以下）。 MOSFET 静态参数正向通态电阻Ron 漏极电压UDS 漏极电流ID、最大漏极电流IDM 漏极击穿电压UBDS : <1500V 栅极开启电压UGSth 栅源击穿电压UBGS :一般为±20V。 MOSFET的主要寄生参数 MOSFET 动态参数极间电容输入电容：Ciss 输出电容：Coss 反馈电容：Crss MOSFET 开关电源技术（二） IGBT IGBT的封装形式 IGBT的封装形式 IGBT 最大集射极间电压UCES——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。最大集电极电流——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 最大集电极功耗PCM——正常工作温度下允许的最大功耗 。 IGBT的主要寄生参数 IGBT IGBT和MOSFET
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