截图
简介
这是集成电路制造技术原理与工艺ppt，包括了引言，无生产线集成电路设计技术，代客户加工（代工）方式，PDK文件，电路设计和电路仿真等内容，欢迎点击下载。
集成电路制造技术原理与工艺ppt是由红软PPT免费下载网推荐的一款课件PPT类型的PowerPoint.
第一章 集成电路制造工艺流程 1.无生产线集成电路设计技术 随着集成电路发展的过程，其发展的总趋势是革新工艺、提高集成度和速度。 设计工作由有生产线集成电路设计到无生产线集成电路设计的发展过程。 无生产线（Fabless）集成电路设计公司。如美国有200多家、台湾有100多家这样的设计公司。 2. 代客户加工（代工）方式 芯片设计单位和工艺制造单位的分离，即芯片设计单位可以不拥有生产线而存在和发展，而芯片制造单位致力于工艺实现，即代客户加工（简称代工）方式。 代工方式已成为集成电路技术发展的一个重要特征。 3. PDK文件 首先，代工单位将经过前期开发确定的一套工艺设计文件PDK（Process Design Kits)通过因特网传送给设计单位。 PDK文件包括：工艺电路模拟用的器件的SPICE（Simulation Program with IC Emphasis）参数，版图设计用的层次定义，设计规则，晶体管、电阻、电容等元件和通孔（VIA）、焊盘等基本结构的版图，与设计工具关联的设计规则检查（DRC）、版图参数提取（LPE、PEX）和版图电路对照（LVS）用的文件。 4. 电路设计和电路仿真 设计单位根据研究项目提出的技术指标，在自己掌握的电路与系统知识的基础上，利用PDK提供的工艺数据和CAD/EDA工具，进行电路设计、电路仿真（或称模拟）和优化、版图设计、设计规则检查DRC、参数提取和版图电路图对照LVS，最终生成通常称之为GDS-Ⅱ格式的版图文件。再通过因特网传送到代工单位。 5. 掩膜与流片 代工单位根据设计单位提供的GDS-Ⅱ格式的版图数据，首先制作掩膜（Mask），将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩膜上。 一张掩膜一方面对应于版图设计中的一层的图形，另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺。 在一张张掩膜的参与下，工艺工程师完成芯片的流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片”。 6. 代工工艺 代工（Foundry）厂家很多，如： 无锡上华（0.6/0.5 mCOS和4 mBiCMOS工艺) 上海先进半导体公司(1 mCOS工艺) 首钢NEC(1.2/0.18 mCOS工艺) 上海华虹NEC(0.35 mCOS工艺) 上海中芯国际(8英寸晶圆0.25/0.18 mCOS工艺) 6. 代工工艺 代工（Foundry）厂家很多，如： 宏力 8英寸晶圆0.25/0.18 mCMOS工艺 华虹 NEC 8英寸晶圆0.25mCMOS工艺 台积电(TSMC) 在松江筹建 8英寸晶圆0.18 mCMOS工艺 联华(UMC) 在苏州筹建 8英寸晶圆0.18 mCMOS工艺等等。 7.境外代工厂家一览表 8. 芯片工程与多项目晶圆计划 F&F(Fabless and Foundry)模式 工业发达国家通过组织无生产线IC设计的芯片计划来促进集成电路设计的专业发展、人才培养、技术研究和中小企业产品开发，而取得成效。 这种芯片工程通常由大学或研究所作为龙头单位负责人员培训、技术指导、版图汇总、组织芯片的工艺实现，性能测试和封装。大学教师、研究生、研究机构、中小企业作为工程受益群体，自愿参加，并付一定费用。 8. 芯片工程与多项目晶圆计划 8. 芯片工程与多项目晶圆计划 多项目晶圆MPW（multi-project wafer)技术服务是一种国际科研和大学计划的流行方式。 MPW技术把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片（Macro-Chip）上然后以步进的方式排列到一到多个晶圆上，制版和硅片加工费用由几十种芯片分担，极大地降低芯片研制成本，在一个晶圆上可以通过变换版图数据交替布置多种宏芯片。 代工单位与其他单位关系图 集成电路制造工艺分类 §1-1 双极集成电路典型的 PN结隔离工艺 思考题 双极集成电路的基本制造工艺，可以粗略的分为两类：一类为在元器件间要做隔离区。隔离的方法有多种，如PN结隔离，全介质隔离及PN结-介质混合隔离等。另一类为器件间的自然隔离。 1.1.1典型PN结隔离工艺流程 1.1.1 工艺流程 1.1.1 工艺流程（续1） 1.1.1 工艺流程（续2） 1.1.1 工艺流程（续3） 1.1.1 工艺流程（续4） 1.1.1 工艺流程（续5） 1.1.1 工艺流程（续6） 1.1.2 光刻掩膜版汇总 1.1.3 外延层电极的引出 1.1.4 埋层的作用 1.1.5 隔离的实现 1.1.6 练习 §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 思考题 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 1.衬底准备 1.2.3 N阱硅栅CMOS工艺光刻掩膜版汇总简图 1.2.4 局部氧化的作用 1.2.5 硅栅自对准的作用 1.2.6 MOS管衬底电极的引出 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接触孔掺杂 1.2.9 其它MOS工艺简介 1.2.10 练习 §1.3其它集成电路制造工艺简介 1.3.1 双层多晶、多层金属CMOS工艺 1.3.2 双极型模拟集成电路工艺 1.3.3 Bi CMOS工艺
展开
