液晶盒的制备ppt

一、TFT阵列基板

二、彩膜基板

三、制屏工艺

一、TFT阵列基板制作

a-Si:H TFT的结构

1、背沟道刻蚀型结构（主要介绍）

优点：光刻次数少，材料成本低，

              工艺节拍短

缺点：刻蚀选择比小，a-Si:H要相

              应做得厚些，一般为150-

              200nm，工艺难度大，厚度

              控制要严格。

2、背沟道保护型结构

优点：a-Si:H层可以做得较薄， 

             一般厚30-50nm，薄膜的

              生产性好，关态电流小； 

               刻蚀选择比大，工艺简 

              单。

缺点：多一次光刻，成本增加，

              节拍时间长

背沟道刻蚀结构a-Si:H  TFT

第一次光刻栅极

第一次光刻栅线的金属材料一般有复层材料铝钕和钼（AlNd/Mo），铝钕和掺氮钼（AlNd/MoNx）等。要求有较好的热稳定性，物理、化学稳定性，为减小栅信号延迟电阻率要足够低，为增大开口率栅极，宽度越窄越好。

工艺流程是：溅射前清洗——溅射——涂胶——曝光——显影——显影后检查——湿法刻蚀——刻蚀后检查——去胶——O/S检查。其中O/S是Open和Short的缩写，为断路和短路。经过光刻刻蚀后形成完好的第一次光刻的图形，断面必须刻蚀出具有一定角度的坡度角，否则容易出现跨断。

第二次光刻有源岛

第二次光刻形成a-Si:H有源岛，形成薄膜晶体管的有源层和偶木接触层，在栅极的上面形状像一个小岛。工艺流程:成膜前清洗——3层CVD(SiNx ， a-Si:H ， n+ a-Si)——3层后清洗——涂胶——曝光——显影——干法刻蚀——刻蚀后检查——去胶。

在a-Si:H有源岛形成前，先后连续沉积SiNx 、a-Si:H、 n+ a-Si 3种薄膜。SiNx是氮化硅薄膜，作为绝缘层；a-Si:H 是氢化非晶硅薄膜，作为半导体层；n+ a-Si 是掺杂了磷的非晶硅薄膜，作为欧姆接触层，用于降低源漏电极与半导体层之间的接触电阻。这3层膜是在等离子化学气相沉积设备中连续成膜的，可以形成良好的层间接触，降低界面态密度。

第三次光刻源漏电极（SD）

2代线以上， 电极采用的材料一般都是复层材料Mo/Al/Mo、Mo/AlNd/Mo、MoNx/AlNi/ MoNx等。工艺流程是：溅射前清洗——Mo/Al/Mo溅射——Mo/Al/Mo后清洗——涂胶——曝光——显影——显影后检查——Mo/Al/Mo湿刻——刻蚀后检查——n+切断PE刻刻¬——刻蚀后检查——去胶。

下层Mo的作用-----Al直接与a-Si接触很容易向a-Si扩散，使漏电级增大，影响TFT的关态特性，所以在Al层下面要增加一层Mo。

上层Mo的作用-----Al容易产生小丘，表面粗糙度不好，且Al与上面层ITO直接接触，容易还原ITO材料，降低ITO的电阻率，引起接触不良，因此要在Al的上面增加一层Mo。

第四次钝化层及过孔

钝化层（Passivition），其材料一般是氮化硅SiNx，表示为P-SiNx ，起保护薄膜晶体管、信号线和栅线的作用。工艺流程是：P-SiNx前清洗——P-SiNxCVD——涂胶——曝光——显影——显影后检查——P-SiNxPE干法刻蚀——刻蚀后检查——去胶。

过孔是把引线和需要连接的部分刻蚀出来。第四次光刻是工艺的难点，要求刻蚀时间不可太长也不可太短。很多工业都采用干法刻蚀来形成钝化层及过孔的图形。

第五次光刻形成像素电极

采用的材料是氧化铟锡（ITO）。

工艺流程是: 溅射前清洗——ITO溅射——ITO后清洗——涂胶——曝光——显影——显影后检查——ITO湿刻——刻蚀后检查——去胶——退火——阵列终检——激光修复。

这次光刻形成的ITO有3个作用：

1）TFT处ITO，用作像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。

2）是存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极，与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。

3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

二、彩膜制作

基本结构

彩膜制备

三、制屏工艺

 PI取向工艺

ODF工艺

切割工艺

贴片工艺

模块工艺

PI取向工艺

1、作用：

（1）液晶分子取向

（2）形成预倾角

2、工艺流程

ODF工艺

传统液晶注入方式工艺流程

ODF与传统液晶注入优劣势对比

切割工艺

切割工艺包括切割和倒棱

切割就是利用高渗透刀轮以一定的压力和速度切割玻璃基板，在C/F和TFT贴合后的屏指定位置露出PAD电极，形成一个个独立的液晶屏。

倒棱就是待加工完成的屏吸附在工作载台上，随着载台的移动与高速旋转的滑轮进行接触研磨。

作用：1）去除短路环

                2）去除棱角处的玻璃毛边的细小裂纹，使玻璃的强度均    

                       匀；

                 3）棱角光滑，组装模块时边缘不易破损且不会使柔性电 

                       路等造成划伤或破损。

贴片工艺

模块工艺

液晶显示器在完成了制屏工艺后，还需要绑定驱动电路等部件才能实现显示。将液晶屏、驱动电路、柔性线路板（FPC)、印刷电路板板(PCB)、背光源、结构件绑定组装在一起的工艺称为液晶显示器的模块工艺，又称为模组工艺。根据绑定IC方式的不同，液晶显示模块工艺又可以分为：COB工艺、TAB工艺、COG工艺和COF工艺。此处我们主要介绍COG工艺。

COG工艺

COG工艺中驱动IC粘贴到液晶屏外引线很小的面积上，输出端与液晶屏的外引线电极直接相连，输入端与电极焊板（Pad)左端连接，并用黑胶将驱动IC封住固化。柔性线路板(FPC)左端与连接电极焊盘的右端、印刷电路板PCB和FPC的右端通过热压连接在一起。

首先将各向异性导电胶膜（ACF）贴在液晶屏的外引线处提供导通和黏合的作用，接着绑定驱动IC。

再贴ACF，绑定FPC。

贴ACF，绑定印刷电路板PCB。

检测绑定过程中压合的好坏，同时要检测玻璃基板厚度、尺寸、平坦度等项目，检查玻璃基板的外观上是否有刮伤、阴影或便面上是否有任何的变化。还要用钠灯进行显色性色差检查，检查是否有彩膜正反面的不均匀性姆拉（指显示器亮度不均匀， 造成各种痕迹的现象）。

经检测绑定合格的模块要组装上背光板、背光源及铁框等。最后进行老化测试及成品检测。老化测试的目的是检查液晶屏可能的故障，一般经老化测试后通过的液晶屏在寿命期间就不可能再出现问题了。

成品检测是通过人眼目视检测。用一组信号发生器直接驱动液晶屏显示图像，进行20多组画面的检查，主要检查是否有坏点、RGB三基色是否正常。最后在恒温恒湿机内部，LCD显示屏要经过边发光边接收检查的温度湿度检测和耐压抗撞击测试。

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