清华模电ppt

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清华模电ppt

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这是清华模电ppt,包括了电子技术的发展,模拟信号与模拟电路,电子信息系统的组成,模拟电子技术基础课的特点,如何学习这门课程,课程的目的,考查方法等内容,欢迎点击下载。

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绪     论8sY红软基地
一、电子技术的发展    电子技术的发展,推动计算机技术的发展,使之“无孔不入”,应用广泛!8sY红软基地
广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电话、手机8sY红软基地
网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器8sY红软基地
工业:钢铁、石油化工、机加工、数控机床8sY红软基地
交通:飞机、火车、轮船、汽车8sY红软基地
军事:雷达、电子导航8sY红软基地
航空航天:卫星定位、监测8sY红软基地
医学:γ刀、CT、B超、微创手术8sY红软基地
消费类电子:家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统8sY红软基地
   电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路8sY红软基地
半导体元器件的发展8sY红软基地
1947年     贝尔实验室制成第一只晶体管8sY红软基地
1958年     集成电路8sY红软基地
1969年     大规模集成电路8sY红软基地
1975年     超大规模集成电路8sY红软基地
二、模拟信号与模拟电路8sY红软基地
四、模拟电子技术基础课的特点 8sY红软基地
五、如何学习这门课程8sY红软基地
六、课程的目的8sY红软基地
1.  掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。8sY红软基地
2.  具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力,以及将所学知识用于本专业的能力。8sY红软基地
七、考查方法8sY红软基地
1.  会看:读图,定性分析8sY红软基地
2.  会算:定量计算8sY红软基地
第一章 半导体二极管和三极管8sY红软基地
第一章 半导体二极管和三极管8sY红软基地
§1  半导体基础知识8sY红软基地
一、本征半导体8sY红软基地
2、本征半导体的结构8sY红软基地
3、本征半导体中的两种载流子8sY红软基地
二、杂质半导体 1.  N型半导体8sY红软基地
2.  P型半导体8sY红软基地
三、PN结的形成及其单向导电性8sY红软基地
PN 结的形成8sY红软基地
PN 结的单向导电性8sY红软基地
四、PN 结的电容效应8sY红软基地
问题8sY红软基地
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差,又将其掺杂,改善导电性能?8sY红软基地
为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?8sY红软基地
为什么半导体器件有最高工作频率?8sY红软基地
§2  半导体二极管8sY红软基地
 一、二极管的组成8sY红软基地
 一、二极管的组成8sY红软基地
 二、二极管的伏安特性及电流方程8sY红软基地
利用Multisim测试二极管伏安特性8sY红软基地
从二极管的伏安特性可以反映出:  1.  单向导电性8sY红软基地
三、二极管的等效电路8sY红软基地
2. 微变等效电路8sY红软基地
四、二极管的主要参数8sY红软基地
最大整流电流IF:最大平均值8sY红软基地
最大反向工作电压UR:最大瞬时值8sY红软基地
反向电流 IR:即IS8sY红软基地
最高工作频率fM:因PN结有电容效应8sY红软基地
讨论:解决两个问题8sY红软基地
如何判断二极管的工作状态?8sY红软基地
什么情况下应选用二极管的什么等效电路?8sY红软基地
五、稳压二极管8sY红软基地
§1.3    晶体三极管8sY红软基地
 一、晶体管的结构和符号8sY红软基地
二、晶体管的放大原理8sY红软基地
电流分配:    IE=IB+IC8sY红软基地
    IE-扩散运动形成的电流8sY红软基地
     IB-复合运动形成的电流8sY红软基地
     IC-漂移运动形成的电流8sY红软基地
三、晶体管的共射输入特性和输出特性8sY红软基地
2. 输出特性8sY红软基地
晶体管的三个工作区域8sY红软基地
四、温度对晶体管特性的影响8sY红软基地
五、主要参数8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性8sY红软基地
讨论三8sY红软基地
利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。8sY红软基地
第二章  基本放大电路8sY红软基地
第二章  基本放大电路8sY红软基地
§2.1  放大的概念与放大电路 的性能指标8sY红软基地
一、放大的概念8sY红软基地
二、性能指标8sY红软基地
1. 放大倍数:输出量与输入量之比8sY红软基地
2. 输入电阻和输出电阻8sY红软基地
3. 通频带8sY红软基地
§2.2 基本共射放大电路的工作原理8sY红软基地
一、电路的组成及各元件的作用8sY红软基地
二、设置静态工作点的必要性8sY红软基地
三、基本共射放大电路的波形分析8sY红软基地
四、放大电路的组成原则8sY红软基地
静态工作点合适:合适的直流电源、合适的电路参数。8sY红软基地
动态信号能够作用于晶体管的输入回路,在负载上能够获得放大了的动态信号。8sY红软基地
对实用放大电路的要求:共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。8sY红软基地
两种实用放大电路:(1)直接耦合放大电路8sY红软基地
两种实用放大电路:(2)阻容耦合放大电路8sY红软基地
§2.3   放大电路的分析方法8sY红软基地
一、放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
1. 直流通路:① Us=0,保留Rs;②电容开路;   ③电感相当于短路(线圈电阻近似为0)。8sY红软基地
2. 交流通路:①大容量电容相当于短路;②直流电源相当于短路(内阻为0)。8sY红软基地
基本共射放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
阻容耦合单管共射放大电路的直流通路和交流通路8sY红软基地
二、图解法    应实测特性曲线 8sY红软基地
2.  电压放大倍数的分析8sY红软基地
3.  失真分析8sY红软基地
截止失真8sY红软基地
饱和失真8sY红软基地
消除方法:增大Rb,减小Rc,减小β,减小VBB,增大VCC。8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
1.  用NPN型晶体管组成一个在本节课中未见过的共射放大电路。8sY红软基地
2.  用PNP型晶体管组成一个共射放大电路。8sY红软基地
画出图示电路的直流通路和交流通路。8sY红软基地
三、等效电路法8sY红软基地
半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型,来描述非线性器件的特性。8sY红软基地
2. 晶体管的h参数等效模型(交流等效模型)8sY红软基地
在交流通路中可将晶体管看成为一个二端口网络,输入回路、输出回路各为一个端口。8sY红软基地
在低频、小信号作用下的关系式8sY红软基地
h参数的物理意义8sY红软基地
简化的h参数等效电路-交流等效模型8sY红软基地
3. 放大电路的动态分析8sY红软基地
阻容耦合共射放大电路的动态分析8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
讨论三:基本共射放大电路的静态分析和动态分析8sY红软基地
讨论四:阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析8sY红软基地
讨论五:波形分析8sY红软基地
§2.4  静态工作点的稳定8sY红软基地
一、温度对静态工作点的影响8sY红软基地
二、静态工作点稳定的典型电路 8sY红软基地
2.  稳定原理8sY红软基地
Re 的作用8sY红软基地
3.  Q 点分析8sY红软基地
4.  动态分析8sY红软基地
三、稳定静态工作点的方法8sY红软基地
引入直流负反馈8sY红软基地
温度补偿:利用对温度敏感的元件,在温度变化时直接影响输入回路。8sY红软基地
例如,Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数?8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
§2.5   晶体管放大电路的三种接法8sY红软基地
一、基本共集放大电路8sY红软基地
2.  动态分析:电压放大倍数8sY红软基地
2.  动态分析:输入电阻的分析8sY红软基地
2.  动态分析:输出电阻的分析8sY红软基地
二、基本共基放大电路8sY红软基地
2.  动态分析8sY红软基地
三、三种接法的比较:空载情况下8sY红软基地
    接法       共射       共集         共基8sY红软基地
      Au               大         小于1        大    8sY红软基地
      Ai           β         1+β        α8sY红软基地
      Ri           中           大            小8sY红软基地
      Ro          大           小            大8sY红软基地
    频带         窄           中            宽8sY红软基地
讨论一:        图示电路为哪种基本接法的放大电路?它们的静态工作点有可能稳定吗?求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
§2.6 场效应管及其基本放大电路8sY红软基地
一、场效应管(以N沟道为例)8sY红软基地
栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用8sY红软基地
漏-源电压对漏极电流的影响8sY红软基地
转移特性8sY红软基地
输出特性8sY红软基地
2.  绝缘栅型场效应管8sY红软基地
增强型MOS管uDS对iD的影响8sY红软基地
耗尽型 MOS管8sY红软基地
MOS管的特性8sY红软基地
利用Multisim测试场效应管的输出特性8sY红软基地
3.  场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性8sY红软基地
二、场效应管静态工作点的设置方法8sY红软基地
2.  自给偏压电路8sY红软基地
3.  分压式偏置电路8sY红软基地
三、场效应管放大电路的动态分析8sY红软基地
2.  基本共源放大电路的动态分析8sY红软基地
3.  基本共漏放大电路的动态分析8sY红软基地
基本共漏放大电路输出电阻的分析8sY红软基地
§2.7  派生电路8sY红软基地
一、复合管8sY红软基地
复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。8sY红软基地
讨论一:判断下列各图是否能组成复合管8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
二、派生电路举例:组合的结果带来什么好处?8sY红软基地
第三章 多级放大电路8sY红软基地
第三章 多级放大电路8sY红软基地
§3.1 多级放大电路的耦合方式8sY红软基地
一、直接耦合8sY红软基地
如何设置合适的静态工作点?8sY红软基地
NPN型管和PNP型管混合使用8sY红软基地
二、阻容耦合8sY红软基地
三、变压器耦合8sY红软基地
讨论:两级直接耦合放大电路8sY红软基地
   从Multisim “参数扫描” 结果分析两级放大电路Q点的相互影响。   R1取何值时T2工作在饱和区?8sY红软基地
§3.2  多级放大电路的动态分析8sY红软基地
一、动态参数分析8sY红软基地
二、分析举例8sY红软基地
讨论一   失真分析:由NPN型管组成的两级共射放大电路8sY红软基地
讨论二:放大电路的选用8sY红软基地
1.  按下列要求组成两级放大电路:8sY红软基地
① Ri=1~2kΩ,Au 的数值≥3000;8sY红软基地
② Ri ≥ 10MΩ,Au的数值≥300;8sY红软基地
③ Ri=100~200kΩ,Au的数值≥150;8sY红软基地
④ Ri ≥ 10MΩ ,Au的数值≥10,Ro≤100Ω。8sY红软基地
§3.3  差分放大电路8sY红软基地
一、零点漂移现象及其产生的原因8sY红软基地
二、长尾式差分放大电路的组成8sY红软基地
典型电路8sY红软基地
三、长尾式差分放大电路的分析 8sY红软基地
2.  抑制共模信号 8sY红软基地
2.  抑制共模信号 :Re的共模负反馈作用8sY红软基地
3.  放大差模信号8sY红软基地
差模信号作用时的动态分析8sY红软基地
4.  动态参数:Ad、Ri、 Ro、 Ac、KCMR8sY红软基地
        共模抑制比KCMR:综合考察差分放大电路放大差模信号的能力和抑制共模信号的能力。8sY红软基地
四、差分放大电路的四种接法8sY红软基地
1.  双端输入单端输出:差模信号作用下的分析8sY红软基地
1.  双端输入单端输出:共模信号作用下的分析8sY红软基地
1.  双端输入单端输出:问题讨论8sY红软基地
2.  单端输入双端输出8sY红软基地
2.  单端输入双端输出8sY红软基地
3.  四种接法的比较:电路参数理想对称条件下8sY红软基地
五、具有恒流源的差分放大电路8sY红软基地
具有恒流源差分放大电路的组成8sY红软基地
六、差分放大电路的改进8sY红软基地
2.  场效应管差分放大电路8sY红软基地
讨论一8sY红软基地
讨论二8sY红软基地
§3.4 互补输出级8sY红软基地
一、对输出级的要求8sY红软基地
二、基本电路8sY红软基地
3.  动态分析8sY红软基地
4.  交越失真8sY红软基地
三、消除交越失真的互补输出级8sY红软基地
四、准互补输出级      8sY红软基地
§3.5 直接耦合多级放大电路读图8sY红软基地
一、放大电路的读图方法8sY红软基地
二、例题8sY红软基地
2. 基本性能分析8sY红软基地
3. 交流等效电路8sY红软基地
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