电子创新设计论文PPT

这是一个关于电子创新设计论文PPT，包括了有关本课程学习的几点建议，基本元件RLC(电抗元件)，半导体器件，常用电声器件及传感器的应用，各种集成电路等内容。PCB 板---电子新产品的心脏所在地 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 阻一、电阻的作用定义：电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗（功率）的部分叫做电阻 。电阻在电路中的作用有：限流，分压，偏置等导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。 电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。 三、电阻的单位换算电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。 1 MΩ =1000 KΩ =1000000 Ω 数标法：用三为数字来表示元件的标称值的方法称之为数码标志法.主要用于贴片等小体积的电阻，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100K 文字符号法：电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标志在电阻体上 色标法 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 容一、电容的作用定义：电容是衡量导体储存电荷能力的物理量。在两个相互绝缘的导体上，加上一定的电压，它们就会储存一定的电量。其中一个导体储存着正电荷，另一个导体储存着大小相等的负电荷。加上的电压越大，储存的电量就越多，欢迎点击下载电子创新设计论文PPT。

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PCB 板---电子新产品的心脏所在地 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 阻一、电阻的作用定义：电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗（功率）的部分叫做电阻 。电阻在电路中的作用有：限流，分压，偏置等导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。 电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。 三、电阻的单位换算电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。 1 MΩ =1000 KΩ =1000000 Ω 数标法：用三为数字来表示元件的标称值的方法称之为数码标志法.主要用于贴片等小体积的电阻，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100K 文字符号法：电阻器的标称值和允许偏差值用数字和文字符号法按一定的规律组合标志在电阻体上 色标法 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 容一、电容的作用定义：电容是衡量导体储存电荷能力的物理量。在两个相互绝缘的导体上，加上一定的电压，它们就会储存一定的电量。其中一个导体储存着正电荷，另一个导体储存着大小相等的负电荷。加上的电压越大，储存的电量就越多。储存的电量和加上的电压是成正比的，它们的比值叫做电容 构成：电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。主要特性：隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小 电解电容属于有极性电容，插件时应该注意区分正负极; 正负极的区分: 在未剪脚之前，脚长的一端为正极，脚短的一端为负极; 在剪脚之后， 电容包装上面白色标‘－’号的一端为负极． 其它无极性电容：无正负极区分，插件时只需注意工艺问题． 电容的单位及换算电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）纳法（nF）、皮法（pF）。 1F=10 mF=10 uF=10 nF=10 pF。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如：10 uF/16V 容量10uf，电容耐压16v （温度）容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 感电感器件分类: 一是应用自感作用的电感线圈(电感) 二是应用互感作用的变压器 1.1、基本元件RLC(电抗元件) 电 感电感器件作用: 一、电感线圈(电感) 具有阻止交流电通过而让直流电通过的特性 调谐、振荡、藕合、滤波、延迟及偏转等 二、变压器 交流电压变换和阻抗变换 1.2、半导体器件 晶体二极管特性：单向导电性能。参数：最大整流电流； 最大反向电压 最大反向电流 最高工作频率几种普通二极管整流二极管：多为硅材料的面接触型二极管。有金属和塑料封装两种。如小功率管2CP10—2CP20；一般整流管2CP31-2CP35；大功率整流管2CZ11—2CZ14。检波二极管：常用点接触式二极管。如2AP1—2AP7；2AP9—2AP17。开关二极管：二极管的“开”和“关”之间变化的速度很快的二极管。一般硅开关管的速度为几个纳秒、锗开关管的速度为几百个纳秒。多为玻璃或陶瓷外形封装。如：2AK1—2AK6；2AK9—2AK19。 特殊二极管 稳压二极管：工作在反向电压状态。主要参数有：稳定电压UZ；稳定电流IZ；最大稳定电流IZM。变容二极管：工作在反向电压状态。反向偏压越小，电容越大；反向偏压越大，电容越小。多在电视、收录机中用于调谐电路和自动频率微调电路。发光二极管：工作在正向电压状态。发光强度和正向电流有关。正向压降在1.5—3V范围。电流在几个毫安左右。 1.2、半导体器件 半导体三极管半导体三极管的分类： 三极管如按结构可分为NPN型和PNP型；按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率特性可分为低频管和高频管等。 半导体三极管的结构及符号三极管的结构特点：三个极、两个结、三个区。三极管的电流分配关系 1.发射区发射电子形成IE IE＝IB＋IC 2.基区复合电子形成IB 3.集电区收集电子形成IC IC＝ IB IE＝IB＋IC＝IB＋ IB＝(1＋ )IB 三极管的电流放大作用的实质是以很小的IB控制较大的IC。三极管的伏安特性（1）输入特性在放大区，硅管的发射结压降UBE一般取0.7V，锗管的发射结压降UBE一般取0.3V。 （2）输出特性 ①放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：IC＝ IB ，IC仅由IB决定。 ②截止区条件：两个PN结均反偏。特点：IB＝0、IC＝ICEO≈0，无放大作用。 ③饱和区条件：两个PN结均正偏。特点：UCE≤1V，有IB和IC ，但IC≠ IB。IC已不受IB控制，无放大作用。 三极管的主要参数 1、共射电流放大系数： 2、极间反向电流ICBO和ICEO 3、三极管的极限参数ICM、PCM、U（BR）CBO、U（BR）CEO、U（BR）EBO 温度对参数有影响：温度升高时：UBE减小，ICBO、ICEO、增大。 [例1]：测得某硅管各极对地电压，试判断其工作在什么区域？ ①Uc=6V UB=0.7V UE=0V ②UC=6V UB=4V UE=3.8V ③UC=6V UB=6.4V UE=5.7V 解：根据三极管的输出特性，比较各管的UCE UBE电压情况， ①Uc> UB > UE ，且UBE=0.7V 故该管工作在放大区域 ② Uc> UB > UE 但UBE=0.2V小于硅管的发射结导通电压，故该管工作在截止区域； ③ UBE=0.7V，UCE=0.3V < 1V，故该管工作在饱和区域。 [例2]若测得放大电路中的三极管的三极对地电位为V1、V2、V3时，试判断它们是硅管？锗管？NPN管？PNP管？并确定e. b，c. ①V1=2.5v V2=6v V3=1.8v ②V1= - 6v V2= - 3v V3= - 2.8v ③V1= - 1.8Vv V2= - 2v V3= 0 v   解：①由于V13=2.5-1.8=0.7V， 故1、3脚为发射结。则2脚为C极、硅管，又V2>V1>V3，C极电位最高，故为NPN，且1为b极，3为e极。 ②由于V23=-0.2V， 故2、3脚间为发射结。1脚为C极、锗管，因V1x1c红软基地