晶体三极管的作用PPT课件

这是一个关于晶体三极管的作用PPT课件，包括了双极型半导体三极管的结构，双极型半导体三极管电流的分配与控制，双极型半导体三极管的电流关系，双极型半导体三极管的特性曲线，半导体三极管的参数，半导体三极管的型号等内容，半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号 2.1.1双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，欢迎点击下载晶体三极管的作用PPT课件哦。

晶体三极管的作用PPT课件是由红软PPT免费下载网推荐的一款仪器设备PPT类型的PowerPoint.

半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号 2.1.1双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区，(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 2.1.2 双极型三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结外加正向电压，集电结外加反向电压。 发射结加正偏时，从发射区将有大量电子向基区扩散，形成发射极电流，与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流。在基区被复合的电子形成基极电流。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式: 三极管放大的实质 2.1.3双极型半导体三极管的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入， 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流 IC 和发射极电流 IE 之间的关系可以用系数来说明，定义: 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是基极输入电流，vBE 是基极输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 共发射极接法的供电电路和电压——电流关系如图02.04所示。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显 说明内部反馈很小。输入 特性曲线的分区： (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE 稍增大时，发射结 虽处于正向电压之下， 但集电结反偏电压很小 时，如： vCE < 1 V vBE =0.7 V vCB= vCE- vBE= <0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由vCE决定。 图02.06共发射极接法输出特性曲线 输出特性曲线可以分为三个区域: 2.1.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB  vCE=const 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，这一关系见图02.08。 ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置 2.共基极交流电流放大系数α α=IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈、 ≈，可以不加区分。 (3) 极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM 如图02.08所示，集电极电流增加时， 就要下降，当 值下降到线性放大区 值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 ③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。 1.V(BR)CBO——发射极开路时集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 2.1.6 半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 表02.01 双极型三极管的参数HmR红软基地